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三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产_蜘蛛资讯网

除了HBM4之外，目前采用1cnm工艺的DRAM芯片还将被用于HBM4E和HBM5，覆盖连续三代HBM产品。另有传闻称，三星可能升级下一代 HBM 的基础裸片，改用更先进的2nm工艺。     目前，三星已在1dnm工艺DRAM芯片上投入更多资源，并在韩国建设一座新工厂。     据悉，该工厂占地面积约为四个标准足球场

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发布时间：21:41:29